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Silizium-auf-Isolator-Markt wird bis 2030 USD 3,96 Milliarden bei 9,76% CAGR erreichen

Oct 9, 2023 4:00 PM ET

Analyse des Silizium-auf-Isolator-Marktes

Der globale Markt für Silizium-Isolatoren wird laut dem neuesten Bericht von Market Research Future bis zum Jahr 2030 einen Wert von 3,96 Mrd. USD bei einer CAGR von 9,76 % erreichen.

Treiber

Zunehmender Bedarf an 5G-Mobilkommunikation wird das Marktwachstum ankurbeln

Der wachsende Bedarf an 5G-Mobilkommunikation wird das Marktwachstum während des Prognosezeitraums ankurbeln. Die 5G-Technologie benötigt Chips mit geringem Stromverbrauch und hoher Geschwindigkeit, die mit der SOI-Technologie erreicht werden können. Die einzigartigen thermischen und elektrischen Eigenschaften von SOI-Wafern machen diese perfekt für den Einsatz in energieeffizienten Hochleistungsgeräten wie Rechenzentren, mobilen Geräten und 5G-Basisstationen. Dieser erhöhte Bedarf an der 5G-Technologie wird den Bedarf an SOI-Wafern vorantreiben und damit das Marktwachstum ankurbeln.

Chancen

Entwicklung der IC-Technologie bietet solide Chancen

Die Entwicklung der IC-Technologie wird dem Silizium-auf-Isolator-Markt im Prognosezeitraum gute Chancen bieten. IC spielt eine zentrale Rolle in der Funktionsweise von elektronischen Geräten, indem sie die wesentliche Funktionalität und Rechenleistung bietet.

Hemmnisse und Herausforderungen

Selbsterhitzungseffekte wirken als Marktbeschränkungen

Die Selbsterhitzungseffekte, der höhere Zeitaufwand im Zusammenhang mit dem Herstellungsprozess und der Mangel an qualifizierten Arbeitskräften können sich im Prognosezeitraum als Markthemmnisse erweisen. Außerdem können die Auswirkungen von COVID-19 das Marktwachstum behindern.

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Hauptakteure

Zu den bedeutenden Marktteilnehmern, die in dem Bericht über den Silizium-Isolator-Markt vorgestellt werden, gehören

  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Corp,
  • Synopsis Inc,
  • Vereinigte Microchip Corp,
  • SunEdison,
  • Frei skalierbare Halbleiter,
  • IBM Corp,
  • Shin-Etsu Chemical Co. Ltd,
  • ARM Holding,
  • Applied Material Inc, und

Marktsegmentierung

Der Silizium-auf-Isolator-Markt wird nach Anwendung, Technologie, Wafergröße und Typ unterschieden.

Nach Typ wird vollständig verarmtes Silizium den Markt während des Prognosezeitraums anführen.

Nach Wafergröße wird der Markt im Prognosezeitraum von 300 mm dominiert werden.

Nach Technologie wird Smart Cut SOI den Markt während des Vorhersagezeitraums anführen.

Nach Anwendungen werden MEMs den Markt während des Prognosezeitraums ankurbeln.

Regionale Analyse

APAC wird den Silizium-auf-Isolator-Markt anführen

Die APAC-Region wird den Markt für Silizium-Isolatoren während des Prognosezeitraums anführen. Dies ist auf die steigenden Investitionen in Verbindung mit dem wachsenden Bedarf an Unterhaltungselektronik wie intelligente Wearables, Laptops, Tablets und Smartphones zurückzuführen. Die Telekommunikation ist ein Sektor, der wahrscheinlich florieren wird. Darüber hinaus tragen die Einführung von Technologien für verschiedene industrielle Operationen, wirtschaftliche Entwicklungen und steigende industrielle Anwendungen zum Marktwachstum bei. Darüber hinaus tragen Expansionen verschiedener Hersteller von Halbleiter-Foundry-Wafern und erhöhte Investitionen ebenfalls zum Wachstum der Region bei.

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Nordamerika wird ein bewundernswertes Wachstum im Silizium-auf-Isolator-Markt haben

Nordamerika wird während des Vorhersagezeitraums ein bewundernswertes Wachstum auf dem Markt für Silizium-Isolatoren verzeichnen. Dies ist vor allem auf die wachsende Nachfrage nach mobilen Anwendungen, Mikroprozessoren, Spielkonsolen und Computern zurückzuführen. Außerdem haben mehrere Unternehmen ihren Hauptsitz in Nordamerika, was das Marktwachstum ebenfalls unterstützt. Aufgrund des wachsenden Umweltbewusstseins der Kunden in Verbindung mit der Regierungspolitik in der Region ist der Bedarf an SOI-Wafern vor allem in der Automobilbranche gestiegen, wo sie in Elektrofahrzeugen eingesetzt werden. Auch die Verwendung von SOI in IoT-Anwendungen und -Geräten ist der aktuelle Markttrend.

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