Es wird erwartet, dass der globale SiC-Leistungshalbleitermarkt bis 2032 1,64 Mrd. USD erreichen wird, mit einer CAGR von 26,30 % im Prognosezeitraum 2023-2032.

Der weltweite Markt für SiC-Leistungshalbleiter wird voraussichtlich erhebliche Zuwächse verzeichnen. Die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen ist ein Wachstumstreiber. Laut Market Research Future (MRFR) wird der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter von 0,2 Mrd. USD im Jahr 2022 auf 1,64 Mrd. USD im Jahr 2032 ansteigen, mit einer CAGR von 26,30 % im Bewertungszeitraum (2023-2032).

Außerdem beschleunigen wachsende F & D-Aktivitäten, die auf verbesserte Materialeigenschaften abzielen, den SiC-Leistungshalbleitermarktumsatz. Die enorme Absorption von leistungsstarken, kostengünstigen Leistungshalbleitern, insbesondere in Elektrofahrzeugen, steigert den Umsatz des SiC-Leistungshalbleitermarktes.

Die steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern in Hochspannungsanwendungen wie Elektrofahrzeugen, Schnellladegeräten, Flugzeugen und großen Industriemotoren stärkt die Marktgröße. Wachsende disruptive Innovationen, die die Kundenbedürfnisse nach hoher Leistung und Kosten erfüllen können & energieeffiziente Leistungslösungen Marktumsätze.

Der sprunghafte Anstieg in der Leistungselektronikindustrie und in angrenzenden Bereichen wie der Hochspannungs- und Hochleistungselektronik stützt den Marktumsatz. Die Industrie konzentriert sich zunehmend auf andere aufkommende Bereiche wie Quantenelektronik, künstliche Intelligenz und integrierte Photonik. Die zunehmende Elektrifizierung von Fahrzeugen und die Automatisierung von Industrieanlagen schaffen erhebliche Marktchancen.

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Hauptakteure

Führende SiC-Leistungshalbleiter-Marktteilnehmer sind

• STMicroelectronics
• WOLFSPEED, Inc.
• ROHM Co, Ltd.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Fuji Electric Co., Ltd.
• Texas Instruments Incorporated
• Semikron Danfoss
• Infineon Technologien AG
• Renesas Elektronik Gesellschaft
• Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd. und andere.

SiC-Leistungshalbleitermarkt - Segmentierungen

Der Bericht ist nach Bauelementen, Wafergrößen, Anwendungen, Endnutzern und Regionen unterteilt. Das Bauelementesegment ist unterteilt in diskrete SiC-Bauelemente (MOSFET, Dioden und Module) und SiC-Bare-Die-Bauelemente. Das Segment der Wafergröße ist unterteilt in 2-Zoll, 4-Zoll, 6-Zoll und darüber.

Das Anwendungssegment ist unterteilt in HF-Geräte & zellulären Basisstationen, Stromversorgung & Wechselrichter, Stromnetze, EV-Motoren, industrielle Motorantriebe, Eisenbahn-Traktion, und andere. Das Endnutzersegment ist unterteilt in Telekommunikation, Energie & Leistung, Automobil, Industrie, Elektronik und andere. Nach Regionen ist der Markt für SiC-Leistungshalbleiter in Amerika, Europa, Asien-Pazifik, Naher Osten, Afrika und den Rest der Welt unterteilt.

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SiC-Leistungshalbleitermarkt - Geografische Analyse

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den globalen SiC-Leistungshalbleitermarkt. Die große Präsenz namhafter Marktteilnehmer und die zunehmenden Investitionen in die Entwicklung und Herstellung innovativer Technologien steigern die Größe des SiC-Leistungshalbleitermarktes. Außerdem wird das Wachstum des SiC-Leistungshalbleitermarktes durch die schnell wachsende Elektrofahrzeug- und Elektronikindustrie in der Region angetrieben. Auch der sprunghafte Anstieg in den Bereichen Konsumgüter, Telekommunikation & Datenkommunikation und Medizin stützt den Anteil des SiC-Leistungshalbleitermarktes in dieser Region.

SiC-Leistungshalbleitermarkt - Wettbewerbsanalyse

Der Markt scheint sehr wettbewerbsintensiv zu sein, mit vielen Akteuren, die weltweit präsent sind. Die Marktteilnehmer konzentrieren sich auf ein optimiertes Situationsbewusstsein, um den Erfolg ihrer Missionen sicherzustellen. Etablierte Unternehmen nutzen aufstrebende Märkte zur Expansion und bemühen sich um die Entwicklung von Produkten mit versierter Technologie.

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Industrie/Innovation/verwandte Nachrichten:

31. August 2023 -- STMicroelectronics (STM), ein weltweit führendes Halbleiterunternehmen, gab die Unterzeichnung eines Liefervertrags mit BorgWarner Inc. (BWA) bekannt, einem weltweit führenden Anbieter von innovativen und nachhaltigen Mobilitätslösungen. STM wird seine SiC-Leistungs-MOSFETs an BorgWarner für dessen Viper-Leistungsmodul liefern, das die Elektrifizierung von Volvo Cars unterstützt. BWA wird die SiC-Würfel in seinen Traktionsumrichter-Plattformen für mehrere aktuelle und zukünftige BEVs von Volvo Car einsetzen. Die neuesten 750-V-SiC-Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von STM werden in dem proprietären Viper-basierten Leistungsmodul von BWA eingesetzt.

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