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Der Markt für SIC-Leistungshalbleiter wird im Prognosezeitraum 2023-2032 voraussichtlich um 1,64 Mrd. USD bei einer CAGR von 26,30 % wachsen

Apr 26, 2023 6:54 PM ET

Markthighlights für SIC-Leistungshalbleiter

Der Markt für SIC-Leistungshalbleiter (Siliziumkarbid) ist ein schnell wachsender Markt, der in den nächsten Jahren voraussichtlich weiter wachsen wird. SIC-Leistungshalbleiter sind eine Art leistungselektronische Bauelemente, die Siliziumkarbid als Halbleitermaterial verwenden und Vorteile gegenüber herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis bieten, wie z. B. einen höheren Wirkungsgrad, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und einen Betrieb mit höheren Temperaturen.

Der globale SIC-Leistungshalbleitermarkt wird voraussichtlich von 403 Millionen US-Dollar im Jahr 2020 auf 1,64 Milliarden US-Dollar im Jahr 2030 wachsen, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 26,30 % im Prognosezeitraum. Es wird erwartet, dass der Automobilsektor das größte Anwendungsgebiet für SIC-Leistungshalbleiter sein wird, wobei Elektrofahrzeuge und Hybridelektrofahrzeuge die Nachfrage antreiben. Weitere wichtige Anwendungsbereiche sind Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie Telekommunikation.

Hauptakteure auf dem Markt für SIC-Leistungshalbleiter

Zu den Hauptakteuren auf dem SIC-Leistungshalbleitermarkt gehören:

  • Cree, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • ROHM Halbleiter
  • STMicroelectronics N.V.
  • ON Semiconductor Corporation.

Diese Unternehmen investieren stark in Forschung und Entwicklung, um die Leistung weiter zu verbessern und die Kosten von SIC-Leistungshalbleitern zu senken, was voraussichtlich das weitere Wachstum des Marktes vorantreiben wird.

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Regionale Analyse

Der Markt für SIC-Leistungshalbleiter (Siliziumkarbid) wächst weltweit, wobei die Nachfrage in verschiedenen Regionen steigt. Die Wachstumsrate und die Marktgröße können jedoch aufgrund unterschiedlicher Akzeptanzraten von Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiequellen und industriellen Anwendungen von Region zu Region variieren.

Es wird erwartet, dass Nordamerika ein bedeutender Markt für SIC-Leistungshalbleiter sein wird, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiequellen und dem Bedarf an effizientem Energiemanagement in Rechenzentren. Es wird erwartet, dass die Vereinigten Staaten aufgrund ihrer etablierten Automobil- und Industriesektoren der größte Markt in der Region sein werden.

Es wird auch erwartet, dass Europa ein deutliches Wachstum des SIC-Leistungshalbleitermarktes verzeichnen wird, vor allem aufgrund der zunehmenden Einführung von Elektrofahrzeugen und des Wachstums erneuerbarer Energiequellen in der Region. Deutschland wird aufgrund seiner etablierten Automobilindustrie und der hohen Nachfrage nach Elektrofahrzeugen voraussichtlich der größte Markt in Europa sein.

Es wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum aufgrund der zunehmenden Einführung von Elektrofahrzeugen, des Wachstums erneuerbarer Energiequellen und der raschen Industrialisierung in Ländern wie China und Indien am stärksten wachsen wird. Es wird erwartet, dass China aufgrund seiner großen Bevölkerung und der steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen der größte Markt in der Region sein wird.

Es wird auch erwartet, dass der Nahe Osten sowie Afrika und Südamerika ein Wachstum des SIC-Leistungshalbleitermarktes verzeichnen werden, was vor allem auf die zunehmende Einführung von Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiequellen in diesen Regionen zurückzuführen ist.

Insgesamt wird erwartet, dass der globale SIC-Leistungshalbleitermarkt in den kommenden Jahren deutlich wachsen wird, angetrieben durch die steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiequellen und effizientem Energiemanagement in verschiedenen Branchen.

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Marktsegmentierung für SIC-Leistungshalbleiter

Der Markt für SIC-Leistungshalbleiter (Siliziumkarbid) kann anhand verschiedener Faktoren segmentiert werden, darunter Gerätetyp, Wafergröße, Anwendung und Geografie.

Basierend auf dem Gerätetyp kann der Markt in Dioden, MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), Module und andere unterteilt werden. Es wird erwartet, dass MOSFETs aufgrund ihres höheren Wirkungsgrads, ihrer schnelleren Schaltgeschwindigkeiten und ihrer geringeren Schaltverluste im Vergleich zu anderen Arten von Leistungshalbleitern das größte Segment sein werden.

Basierend auf der Wafergröße kann der Markt in 2-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafer unterteilt werden. Es wird erwartet, dass die 6-Zoll-Wafergröße aufgrund ihrer höheren Effizienz und geringeren Kosten im Vergleich zu anderen Größen das größte Segment sein wird.

Je nach Anwendung kann der Markt in Automobil, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Telekommunikation und andere unterteilt werden. Es wird erwartet, dass der Automobilsektor aufgrund der zunehmenden Einführung von Elektrofahrzeugen das größte Segment sein wirdund Hybrid-Elektrofahrzeuge, die Hochleistungs-Leistungshalbleiter benötigen.

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Basierend auf der Geografie kann der Markt in Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, den Nahen Osten und Afrika sowie Südamerika unterteilt werden. Es wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum aufgrund der steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und des Wachstums erneuerbarer Energiequellen in der Region der größte Markt sein wird.

Insgesamt wird erwartet, dass der SIC-Leistungshalbleitermarkt mit dem technologischen Fortschritt und dem Aufkommen neuer Anwendungen für diese Bauelemente weiter wachsen und sich weiterentwickeln wird. Oben in Form

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