Marktanalyse für Leistungshalbleiter der nächsten Generation nach Produktmaterial, Gerät und Anwendung | Fuji Electric, STMicroelectronics

Markteinblicke in Leistungshalbleiter der nächsten Generation

Es wird erwartet, dass der Markt für Leistungshalbleiter der nächsten Generation im gesamten Prognosezeitraum, der im Jahr 2030 endet, ein wiederbelebtes Wachstum aufweisen wird. Moderne Leistungshalbleiter werden wegen ihres größeren Bandlochs auch als Wide Band Gap Semiconductors bezeichnet. Die Bandlöcher für GaN, SiC und GaN betragen 1,1, 3,3 bzw. 3,4.

GaN- und SiC-Halbleiter können anstelle herkömmlicher Si-Halbleiter (Silizium) verwendet werden, um ein kompakteres und hocheffektiveres Gerät zu schaffen. Moderne Leistungshalbleiter eröffneten neue Möglichkeiten für die Weiterentwicklung elektronischer Hardware.

Das Fundament und das Herzstück der Dateninnovation sind die Kombination von Mikroelektronik und Kraftbauelementen.

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Zu diesem Zeitpunkt wurden keine Kabel mehr benötigt, was die Kommunikation mit Menschen überall auf der Welt ermöglichte. Mit seinen erweiterten Eigenschaften, wie z. B. erstaunlichen Strom-Spannungs-Qualitäten bei niedrigem Spannungsanstieg, minimalem Austausch von Pech, keinen Schwanzströmungen und zusätzlich zu leichten Bauelementen, hat ein Krafthalbleiter den entscheidenden Vorteil, die Ziele zu erreichen.

Die Auswirkungen der Coronavirus-Pandemie auf das Geschäftseinkommen von Marktpionieren, Marktanhängern und Disruptoren wurden in der Studie zum Marktanteil von Leistungshalbleitern der nächsten Generation untersucht, und dies wird in unserer Untersuchung dargestellt.

Die Studien diskutieren signifikante Fortschritte auf dem Markt für hochmoderne Leistungshalbleiter sowie organische und anorganische Entwicklungsstrategien. Viele Unternehmen konzentrieren sich auf organische Entwicklungsprozesse wie Produktlieferungen, Produktempfehlungen und andere wie Lizenzen und Veranstaltungen.

Akquisitionen, Organisation und Zusammenarbeit wurden in der Branche im Rahmen der Marktwachstumsaktivitäten für Leistungshalbleiter der nächsten Generation beobachtet. Diese Übungen haben es den Marktteilnehmern ermöglicht, ihren Kundenkreis und ihr Geschäft zu erweitern.

Marktkennzahlen für Leistungshalbleiter der nächsten Generation:

• Fuji Electric (Japan),
• Semikron (USA),
• Vishay Intertechnology (USA),
• Infineon Technologies (Deutschland),
• STMicroelectronics (Schweiz),
• Mitsubishi Motors (Japan),
• Toshiba (Japan),
• Fairchild (USA),
• NXP Semiconductors (Niederlande) und
• Renesas Electronics (Japan)

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Regionale Bewertung des Marktes für Leistungshalbleiter der nächsten Generation

Gemessen an der Nachfrage nach Leistungshalbleitern der nächsten Generation ist Nordamerika mit einem Anteil von 5,20 % am Weltmarkt im Jahr 2015 und einem Wert von 23,45 Mio. USD die dominierende Region des Marktes.

Das Hauptelement, das den Markt in Nordamerika antreibt, ist die Attraktivität der Automobilindustrie.

Mit einer CAGR von 5,20 % hat sich der asiatisch-pazifische Raum mit einem Wert von $XX Millionen US-Dollar im Jahr 2015 zur am schnellsten wachsenden Branche entwickelt. Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum den Markt vor dem erwarteten Ende des Zeitraums dominieren wird. Europa ist nach wie vor der drittgrößte Markt und trägt mit einem Wert von 23,45 Mio. USD 5,20 % zur gesamten Branche bei.

Markt für Leistungshalbleiter der nächsten Generation:

Je nach Endverbraucher, Anwendung, Wafergröße und Bauelement wurde der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter segmentiert.

Der Markt für hochmoderne Leistungshalbleiter ist je nach Typ in GaN, SiC und andere unterteilt.

Dioden-, MOSFET-/IPD- und IGBT-/Leistungsmodulaufteilung nach Gerät

Der Markt für hochmoderne Leistungshalbleiter ist je nach Verwendungszweck in viele Segmente unterteilt: LED-Beleuchtung, Smart Homes, Hybrid- und Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und andere.

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Es bietet Marktgrößen- und Umsatzprognosen für fünf Schlüsselregionen – Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik (APAC), Naher Osten und Afrika (MEA) sowie Süd- und Mittelamerika – von 2023 bis 2030.

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