RF-GaN-Markt soll bis 2030 5,2 Milliarden US-Dollar erreichen | Analyse nach Typ, Anwendung und Region

RF GaN Markteinblicke

Laut MRFR-Analyse wird erwartet, dass der globale HF-GaN-Markt von 2021 bis 2030 eine CAGR von ~ 31% verzeichnen und bis 2030 einen Wert von über ~ 5,2 Mrd. USD halten wird.

GaN-Transistoren halten aufgrund ihrer überlegenen Frequenzeigenschaften Einzug in Funkanwendungen. Um die Produktivität zu steigern und die Bandbreite zu erweitern, um der ständig steigenden Datenübertragungsrate gerecht zu werden, ist RF-GaN für die drahtlose Infrastruktur von entscheidender Bedeutung. Es wird erwartet, dass der HF-GaN-Markt durch die zunehmende Nutzung der 5G-Technologie und Verbesserungen der drahtlosen Kommunikation erheblich beeinflusst wird. GaN-Leistungstransistoren werden immer häufiger eingesetzt, was auch für Telekommunikationsanbieter von Vorteil sein kann. Aufgrund einer Zunahme erheblicher Investitionen in GaN-Technologien hat der HF-GaN-Markt in mehreren Branchen ein erhebliches Wachstum verzeichnet. GaN ermöglicht höhere Frequenzen in anspruchsvolleren Anwendungen, wie z. B. Zählradar, Phased-Arrays, Basis-Transceiver-Stationen für Kabelfernsehen (CATV) und Verteidigungskommunikation, dank der kontinuierlichen Fortschritte in der Galliumnitrid-Technologie (GaN).

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Hauptakteure

Einige der wichtigsten Marktteilnehmer sind:

• NXP Semiconductors NV (Niederlande)
• STMicroelectronics NV (Schweiz)
• Aethercomm Inc. (USA)
• ROHM Semiconductors (Japan)
• Analog Devices Inc. (USA)
• Toshiba Corporation (Japan)
• Cree Inc. (USA)

Umfang des Berichts:

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Regionale Analyse

Der asiatisch-pazifische Raum dominierte den Markt und wird im geschätzten Zeitraum voraussichtlich eine CAGR von 19,3% verzeichnen. China, Japan, Taiwan und Südkorea machen rund 66 Prozent des Weltmarktes für unterschiedliche Halbleiter aus. In militärischen Anwendungen ersetzen GaN-Geräte aufgrund des Aufschwungs von T/R-Systemen im luftgestützten Radar sperrige Systeme auf TWT-Basis (Travelling Wave Tube), was bestätigt, dass die Verteidigung weiterhin zu den Haupttreibern des GaN-Marktes gehören wird.

Nordamerika ist die zweite große Region. Es wird erwartet, dass es bis 2030 einen erwarteten Wert von 451 Millionen US-Dollar erreichen wird, was einer CAGR von 18% im geschätzten Zeitraum entspricht. Menschen, die Halbleiter in Nordamerika herstellen, entwerfen und trainieren, gehören zu den ersten, die neue Technologien einsetzen. Die Entwicklung des HF-GaN-Marktes in Nordamerika ist stark mit dem Wachstum von Endverbrauchersektoren wie Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und anderen verbunden. Die Strategie der Regierung wird wahrscheinlich die Marktexpansion ankurbeln

Europa ist die dritte große Region. Die europäische Region ist die Heimat einiger wichtiger Technologiezentren weltweit und ein wesentlicher Treiber und Anwender moderner Technologien. Der Markt expandiert aufgrund des verstärkten Einsatzes moderner Technologien und Halbleiter in mehreren regionalen Sektoren.

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Marktaufteilung

Der globale HF-GaN-Markt wurde in Typ und Anwendung unterteilt.

Basierend auf dem Typ wurde der globale HF-GaN-Markt in Gan auf Sic, Gan auf Silizium und Gan on Demand unterteilt

Basierend auf der Anwendung wurde der globale HF-GaN-Markt in 5G-Wireless-Infrastruktur, Luft- und Raumfahrt sowie Militär und Verteidigung unterteilt.

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