Magneto Resistive RAM (MRAM) Markt erreicht USD 1396.7 Mio. bei einer CAGR von 18.58% | Marktchancen, Entwicklungsstand, regionale Trends

Es wird erwartet, dass der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) mit einer CAGR von mehr als 18,58% auf insgesamt 1396,7 Mio. USD gewachsen wäre. Ein nichtflüchtiger RAM, der als magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher bezeichnet wird, verwendet magnetische Ladungen anstelle von elektrischen Ladungen, um Daten zu speichern. Die Honeywell Company entwickelte 1990 magnetoresistive Speicherbauelemente, als die ersten Fortschritte des Systems begannen. Hohe Dichte, wahlfreier Zugriff und nichtflüchtiger Speicher waren bestätigte Merkmale. Der dynamische Stößel verwendet magnetische Ladungen, eine Alternative zu elektrischen Ladungen, um Datenbits zu speichern. Das Gadget wird verwendet, um elektronische Gegenstände zu verbessern und sie riesige Datenmengen speichern zu lassen und einen schnellen Zugriff zu gewährleisten. Dabei werden die Vorteile von dynamischem RAM und statischem RAM kombiniert. Der Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) wird aufgrund der steigenden Nachfrage nach eigenständigem und eingebettetem Speicher in der Unterhaltungselektronik, intelligenten Geräten und tragbaren Geräten weiter expandieren.

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Magneto Resistive RAM (MRAM) Markt Hauptakteure:

• Toyota Corporation (Japan)
• NVE Corporation (Vereinigte Staaten)
• Everspin Technologies Inc. (Vereinigte Staaten)
• Avalanche Technology Inc. (Vereinigte Staaten)
• Spin Memory, Inc. (Vereinigte Staaten)
• Honeywell International Inc. (Vereinigte Staaten)
• Samsung Electronics Co. Ltd (Südkorea)
• Numem Inc. (Vereinigte Staaten).

Diese Akteure konkurrieren miteinander in Bezug auf die technischen Durchbrüche, die von Unternehmen in Bezug auf die MRAM-Wiederholungsrate erzielt werden können. So haben Everspin Technologies Inc., Avalanche Technology Inc., Numem Inc., NVE Corporation, Honeywell International Inc., Samsung Electronics Co. Ltd. und Spin Memory, Inc. im Laufe mehrerer Jahre ihre Prozessqualität deutlich verbessert, was zu einem Anstieg des Käuferinteresses sowie der Anzahl der Anwendungen für ihre Produkte geführt hat.

Regionale Analyse des Marktes für magnetoresistive RAM (MRAM):

Untersuchungen zum MRAM-Markt wurden in den fünf wichtigsten Regionen der Welt durchgeführt: Asien-Pazifik, Nordamerika, Europa, Mittlerer Osten, Afrika und Südamerika. Die Präsenz wichtiger Akteure in der Region ist ein entscheidender Faktor für den Beitrag der Region zum Wachstum des globalen MRAM-Marktes. Diese Unternehmen stehen an der Spitze der Speicher- und Speicherrevolution und sind Vorreiter für neue Technologien wie künstliche Intelligenz, maschinelles Lernen, das Internet der Dinge und autonome Autos.

Das Wachstum in Deutschland wird voraussichtlich das höchste in Europa sein. Der steigende Bedarf an stromsparenden, kompakten und leistungsstarken MRAM-Designs und -Komponenten ist der Haupttreiber für die Expansion des MRAM-Marktes in Deutschland.

Die staatlichen Mittel für die Erforschung und Produktion von Speicherchips sind gestiegen, was zu einem Anstieg der Nachfrage im asiatisch-pazifischen Raum geführt hat.

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Marktsegmentierung für magnetoresistive RAM (MRAM):

Der Markt für magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist nach Produkt, Anwendung und Geografie segmentiert.

Der zukünftige Markt für magnetoresistive RAM (MRAM) ist in zwei verschiedene Teilmärkte unterteilt, STT und Toggle, basierend auf den Arten von Produkten, die voraussichtlich verkauft werden. Im Jahr 2020 führte der STT-Sektor den Markt an und es wurde prognostiziert, dass er im Bewertungszeitraum mit einer CAGR von 19,35% wachsen würde.

Der MRAM-Marktanteil im Vergleich zu NAND wurde in viele Segmente nach ihren jeweiligen Endverbrauchsbranchen unterteilt, z. B. in den Bereichen Luft- und Raumfahrt und Militär, Automobil, Robotik, Unterhaltungselektronik und Unternehmensspeicher. Bis zum Abschluss des Jahres 2027 wird der Luft-, Raumfahrt- und Verteidigungsmarkt voraussichtlich einen Umsatz von 249,7 Millionen US-Dollar erzielt haben.

Neue 64-MB-STT-MRAM-Speichergeräte wurden am 27. September 2021 vom Branchenführer und Anbieter der MRAM-Technologie der nächsten Generation, Avalanche Technology, veröffentlicht. In Bezug auf Größe, Stromverbrauch und Zuverlässigkeit sind die neuen 64 MB parallelen x16 industriellen P-SRAM-Produkte beispiellos.

Die neueste Avalanche-Produktversion umfasst hochzuverlässige Industrielösungen im kleinsten Formfaktor und mit geringstem Stromverbrauch, mit denen Benutzer Systeme mit einheitlicher Speicherarchitektur für industrielle Datenprotokollierungsanwendungen erstellen können.

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