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GaN RF Device Marktforschungsstudie, Umsatz, Key Player, Wachstumsfaktoren, Trends und Prognose 2030 | Die gestiegene Nachfrage nach IT & Telekommunikation
Nordamerika erwies sich im Berichtszeitraum als der am schnellsten wachsende Markt für RF-GaN
Nordamerika wurde weiter in die USA, Kanada und Mexiko segmentiert. Nordamerika hat aufgrund der Präsenz namhafter RF-GaN-Unternehmen einen der größten Marktanteile auf dem RF-GAN-Markt . Die Hauptakteure im Bereich RF GaN arbeiten seit weit über 15 Jahren an der Technologie und haben eine beträchtliche Menge an Wissen, Fähigkeiten und Kompetenzen gesammelt. Vor allem aber haben sie ein fast glühendes Gefühl des Vertrauens in das langfristige Potenzial der Technologie entwickelt. Der Marktwert wird durch die erhebliche Nachfrage aus der Verteidigungs- und Militärindustrie sowie durch moderne HF-GaN-Trends durch den weit verbreiteten Einsatz von Elektroautos und 5G-Mobilfunknetzen in der Region weiter erhöht. Es wird erwartet, dass der nordamerikanische HF-GaN-Markt während des Evaluierungszeitraums weiterhin dominieren wird. Darüber hinaus treibt der wachsende Bedarf an zusätzlicher Bandbreite aus der Branche der elektronischen Geräte das Wachstum des HF-GaN-Marktes voran.
Europa wurde in vier Länder unterteilt: Großbritannien, Deutschland, Frankreich, Italien und das übrige Europa. Einige der Faktoren, die für das Marktwachstum verantwortlich sind, sind die gestiegene Nachfrage nach IT- und Telekommunikationsgeräten sowie die Einführung von Energie- und Energieanwendungen. Bis 2040 oder früher werden alle Autos in mehreren Ländern der Europäischen Union, einschließlich Großbritannien, emissionsfrei sein (Luftqualität). In diesem Fall unterstützt der Antrieb zur Entwicklung autonomer Autos und Drohnen zusammen mit den notwendigen Infrastrukturvorkehrungen die Nachfrage nach RF-GaN-Technologie weiter. Da der Energiebedarf ihrer einzelnen Bevölkerung steigt, erhöhen die europäischen Länder ihre Mandate für erneuerbare Energieeffizienz. Dies gilt sowohl für die Erzeugung als auch für die Speicherung von Ökostrom (Batteriefarmen). Erhebliche staatliche Investitionen in lokale, unabhängige Forschungsbudgets werden durch nationale Prestige-, Verteidigungs-, Technologie- und Sicherheitsbedenken vorangetrieben, um die Ultra-Tech-Dimension von RF-GaN-Technologien (und anderen) voranzutreiben. In den letzten Jahren haben HF-GaN-Geräte viel mehr Verbreitung gefunden. Es wurde hauptsächlich für Verteidigung und Infrastruktur verwendet. Zukünftige geopolitische Entwicklungen werden erhebliche Auswirkungen auf den HF-GaN-Markt haben. Zum Beispiel haben sich Macom, ein Unternehmen, das Kooperationen unternimmt, und das europäische Unternehmen STMicroelectronics zusammengeschlossen, um die Technologie für Telekommunikations-OEMs bereitzustellen.
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Der asiatisch-pazifische Raum wurde weiter in China, Japan, Indien, Südkorea und den Rest des asiatisch-pazifischen Raums unterteilt. APAC ist ein weiterer vielversprechender Markt für HF-GaN. Der Einsatz von 5G-Netzen in verschiedenen Regionen der Region sowie der Einsatz von RF-GaN-Geräten in Elektroautos treiben die Marktexpansion voran. Das Gebiet ist ein Zentrum für Automobil-, Luftfahrt- und Halbleitertechnik. Aufgrund der schnell wachsenden Märkte für energieeffiziente Elektronik haben China, Indien und Japan große Anteile in der Region. Chinas Innoscience ist ein Beispiel. Der integrierte Gerätehersteller verfügt derzeit mit seiner 8-Zoll-GaN-auf-Silizium-Fabrik über eine Kapazität von 4.000 Wafern pro Monat, plant aber, diese Zahl nach Fertigstellung seiner neuen Anlage in Suzhou deutlich auf rund 65.000 Wafer pro Monat zu erhöhen - ein weiteres Zeichen dafür, dass der Strom-GaN-Markt nur wachsen wird.
Hauptakteure
Zu den führenden Akteuren auf dem globalen HF-GaN-Markt gehören NXP Semiconductors (Niederlande), Analog Devices, Inc. (USA), ST Microelectronics N.V. (Schweiz), Toshiba Corporation (Japan), ROHM Company Ltd (Japan), Wolfspeed, Inc. (USA), Aethercomm Inc. (USA), Microchip Technology (USA), Raytheon Company (USA), Qorvo, Inc. (USA), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), RFHIC Corporation (Südkorea), Mercury System Inc. (USA), Sumitomo Electric Industries
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Berichtsumfang:
Berichtsattribut/Metrik |
Details |
Marktgröße im Jahr 2030 |
USD 4.659 Mio. |
Wachstumsrate: |
CAGR von 20,7% von 2022 bis 2030 |
Prognosezeitraum |
2020-2030
Berichtsabdeckung
Umsatzprognose, Wettbewerbslandschaft, Wachstumsfaktoren und Trends
Covid-Wirkungsanalyse
Wie die meisten Branchen ist auch die Halbleiterindustrie von der COVID-19-Pandemie betroffen. Die Auswirkungen der Pandemie auf die Halbleiterindustrie waren vor allem durch verändertes Kundenverhalten, Veränderungen im operativen Geschäft und rückläufige Geschäftsumsätze gekennzeichnet. Die Pandemie hat sich sowohl auf der Angebots- als auch auf der Nachfrageseite ausgewirkt. Auf der Angebotsseite deckte die Pandemie bisher nicht erkannte Risiken auf, aufgrund derer ein Mangel an kritischen Komponenten in Ländern zu spüren war, die für ihren Halbleiterbedarf stark von Lieferanten abhängig waren. Die meisten Halbleiterunternehmen versuchten, ihre Lieferketten umzustrukturieren, ihren Lagerbestand zu erhöhen und andere notwendige Änderungen vorzunehmen, um den Mangel an kritischen Komponenten zu bewältigen.
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HF-GaN-Marktsegmentierung
Der globale HF-GaN-Markt wurde nach Typ, Anwendung und Region segmentiert.
Der globale HF-GaN-Markt, basierend auf dem Typ, wurde in GaN auf Sic, GaN auf Silizium und GaN auf Abruf segmentiert.
Der globale HF-GaN-Markt, basierend auf der Anwendung, wurde in 5G Wireless Infrastructure, Luft- und Raumfahrt, Militär und Verteidigung und andere unterteilt.
Der globale HF-GaN-Markt basierend auf der Region wurde in Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, den Nahen Osten und Afrika sowie Südamerika unterteilt.
Zugehörige Berichte:
Digital Signage Markt Forschungsbericht: Nach Komponenten, Rohstoffen, Endverbrauchern und Regionen - Prognose bis 2027
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